RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
33
Intorno -38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.2
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
24
Velocità di lettura, GB/s
8.0
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
17.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
4152
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link