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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
91
Intorno 64% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
8
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
4.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
91
Velocità di lettura, GB/s
8.0
6.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
4.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
1214
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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