RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
50
Intorno 34% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.4
8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
50
Velocità di lettura, GB/s
8.0
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
1976
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link