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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
33
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
32
Velocità di lettura, GB/s
8.0
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
2824
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
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Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
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