RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingston X74R9W-MIE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
33
Intorno -43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
23
Velocità di lettura, GB/s
8.0
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
3136
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link