RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
39
Intorno 15% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.5
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
39
Velocità di lettura, GB/s
8.0
11.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
1881
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link