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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
38
Intorno 13% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
6.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
38
Velocità di lettura, GB/s
8.0
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
6.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
2107
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
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