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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
63
Intorno -91% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
33
Velocità di lettura, GB/s
8.1
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1945
3134
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
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