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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
63
Intorno -80% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
35
Velocità di lettura, GB/s
8.1
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1945
3090
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Confronto tra le RAM
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
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Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
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