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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
63
Intorno -110% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
30
Velocità di lettura, GB/s
8.1
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1945
2234
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
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Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
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