RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Kingston KY7N41-MID 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KY7N41-MID 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston KY7N41-MID 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
63
Intorno -80% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
35
Velocità di lettura, GB/s
8.1
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1945
2869
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link