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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Punteggio complessivo
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Motivi da considerare
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
63
Intorno -75% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
36
Velocità di lettura, GB/s
8.1
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1945
3238
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
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