RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
63
Intorno -97% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
32
Velocità di lettura, GB/s
8.1
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1945
2434
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link