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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
63
Intorno -80% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
35
Velocità di lettura, GB/s
8.1
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1945
2768
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
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