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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
63
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
7.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
63
42
Velocità di lettura, GB/s
8.1
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1945
2176
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
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