RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Punteggio complessivo
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.5
6.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
63
Intorno -110% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.5
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
30
Velocità di lettura, GB/s
8.1
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
6.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1945
1338
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link