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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Confronto
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Punteggio complessivo
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
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Motivi da considerare
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
66
Intorno -136% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
7.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
6.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
28
Velocità di lettura, GB/s
7.3
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
6.6
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1760
3552
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
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