RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
49
Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
34
Velocità di lettura, GB/s
10.0
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
3505
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link