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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
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Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
49
Intorno -75% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
28
Velocità di lettura, GB/s
10.0
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
3266
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
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