RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
49
Intorno -96% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.6
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
25
Velocità di lettura, GB/s
10.0
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
3663
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link