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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
49
Intorno -36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
36
Velocità di lettura, GB/s
10.0
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
2653
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-009.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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