RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
49
Intorno -75% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
28
Velocità di lettura, GB/s
10.0
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
3344
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB Confronto tra le RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link