RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
64
Intorno 23% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
10
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
64
Velocità di lettura, GB/s
10.0
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
2016
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link