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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
49
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
33
Velocità di lettura, GB/s
10.0
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
2994
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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