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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
14
49
Intorno -250% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
26.4
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.8
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
14
Velocità di lettura, GB/s
10.0
26.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
19.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
4362
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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