RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
49
Intorno -69% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
29
Velocità di lettura, GB/s
10.0
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
2419
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link