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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
49
Velocità di lettura, GB/s
10.0
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
2668
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
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