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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
49
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
35
Velocità di lettura, GB/s
10.0
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
2580
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
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