RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
49
Intorno -104% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
24
Velocità di lettura, GB/s
10.0
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
2704
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link