RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
49
Intorno -63% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
30
Velocità di lettura, GB/s
10.0
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
3506
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8F 2GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link