RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
49
Intorno -58% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
31
Velocità di lettura, GB/s
10.0
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
2837
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link