RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
49
Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
34
Velocità di lettura, GB/s
10.0
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
2562
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kllisre 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link