RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
42
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
39
Velocità di lettura, GB/s
10.6
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2089
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link