RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
42
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
29
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3409
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston ACR512X64D3U16C11G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link