RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs AMD R7416G2133U2S 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
AMD R7416G2133U2S 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
78
Intorno 46% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
6.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
AMD R7416G2133U2S 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.5
10.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
78
Velocità di lettura, GB/s
10.6
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
1594
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link