RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
42
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
33
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3063
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link