RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
42
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.7
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
10600
Intorno 2.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
36
Velocità di lettura, GB/s
10.6
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
23400
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3092
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link