RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
75
Intorno 44% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
6.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
10.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
75
Velocità di lettura, GB/s
10.6
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
1590
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link