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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
42
Intorno -83% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
23
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3025
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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