RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
42
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
30
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3279
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link