RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
42
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.2
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
29
Velocità di lettura, GB/s
10.6
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
15.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3787
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSP38G16002 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL10-8GBXL 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link