RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
42
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
30
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3254
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link