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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
42
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
33
Velocità di lettura, GB/s
10.6
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2847
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
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