RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
46
Intorno 9% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.6
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
46
Velocità di lettura, GB/s
10.6
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2973
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link