RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
42
Intorno -20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.3
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
35
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2893
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link