RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
42
Intorno -91% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.3
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
22
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2738
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link