RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
42
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
31
Velocità di lettura, GB/s
10.6
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3126
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link