RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
42
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
30
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3564
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link