RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
42
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
30
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3606
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link