RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
42
Intorno -56% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.5
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
27
Velocità di lettura, GB/s
10.6
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
16.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3259
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link